В полупроводниковом соединении InSb наблюдаются самые низкие эффективные массы. 14 Для него характерны значения: эффективная масса электронов проводимости — 0,013 m0, дырок — 0,42 m0 (m0 — масса свободного электрона). 4
Также малые эффективные массы характерны для GaAs — 0,07 m0. 1