Некоторые уникальные свойства оксида кремния, позволяющие применять его в микроэлектронике:

• Электрическая стабилизация кремниевых поверхностей. 2 При изготовлении полупроводниковых устройств кремниевую пластину покрывают изолирующим слоем оксида кремния, чтобы электричество могло надёжно проникать к проводящему кремнию ниже. 2
• Преодоление поверхностных состояний. 2 Выращивание слоя оксида кремния поверх кремниевой пластины позволяет преодолеть поверхностные состояния, которые в противном случае препятствуют попаданию электричества в полупроводящий слой. 2
• Стабильность в сильных электрических полях. 3 Оксид кремния, сформированный при температуре 850 °С, по сравнению с обычным диоксидом обладает лучшей стабильностью в сильных электрических полях. 3