Основное отличие барьерной ёмкости перехода от ёмкости плоского конденсатора заключается в том, что в плоском конденсаторе заряды сосредоточены в плоскостях внутренних поверхностей электродов, а расстояние между ними остаётся постоянным. 1 В барьерной ёмкости заряды заполняют весь переход, однако приращения этих зарядов также сосредоточены в плоскостях, ограниченных p-n переходом и отстающих друг от друга на расстоянии, равном толщине обедненного слоя. 14

Кроме того, барьерная ёмкость эквивалентна ёмкости плоского конденсатора, в котором слоем диэлектрика служит запирающий слой, а обкладками — p и n-области перехода. 2

Также с возрастанием обратного напряжения на переходе барьерная ёмкость уменьшается, а повышение концентрации примесей в p- и n-областях приводит к увеличению ёмкости перехода, поскольку уменьшается толщина обедненного слоя. 4