Некоторые ключевые различия между N- и P-канальными MOSFET-транзисторами:

• Типы носителей заряда. 15 В N-канальных MOSFET в качестве основных носителей используются электроны, в P-канальных — отверстия. 15
• Полярность питания. 1 N-канальные MOSFET требуют положительного напряжения источника затвора, P-канальные — отрицательного. 1
• Скорость переключения. 1 N-канальные MOSFET переключаются быстрее, что важно для высокочастотных приложений. 1
• Сопротивление в открытом состоянии. 3 У P-канальных MOSFET оно больше, чем у N-канальных. 3
• Плотность упаковки. 4 N-канальные MOSFET более эффективны с точки зрения использования пространства из-за меньших размеров и большей плотности упаковки. 4
• Энергоэффективность. 4 N-канальные MOSFET более энергоэффективны, так как имеют меньшее пороговое напряжение и требуют меньше напряжения для включения. 4
• Сложность конструкции. 4 P-канальные MOSFET немного сложнее N-канальных, в основном из-за использования двух разных материалов в их конструкции. 4
• Стоимость. 1 N-канальные MOSFET, как правило, дешевле и более доступны, чем P-канальные. 1

N-канальные MOSFET чаще используются в большинстве мощных схем, включая импульсные источники питания и схемы управления нагрузкой, а P-канальные — в схемах с низким напряжением или в качестве верхнего ключа. 3