Ключевые отличия между p-n и p-i-n фотодиодами заключаются в их структуре и характеристиках:

• p-n фотодиод работает за счёт встроенного электрического поля, которое помогает разделить носители заряда. 4 Для высокой квантовой эффективности в таком фотодиоде требуется большая область истощения, чтобы захватить как можно больше фотонов. 4 Однако это увеличивает время прохождения через область истощения и время отклика. 4
• p-i-n фотодиод имеет среднюю i-область, заключённую между двумя областями противоположной проводимости. 23 При достаточно большом напряжении электрическое поле пронизывает i-область, и свободные носители, возникшие за счёт фотонов при облучении, ускоряются электрическим полем p-n-переходов. 23 Это даёт выигрыш в быстродействии и чувствительности. 23