В чем заключается влияние легирующих примесей на электронные переходы в полупроводниках?

Влияние легирующих примесей на электронные переходы в полупроводниках заключается в изменении концентрации свободных электронов и дырок. lib.kgeu.ru

Для создания большего количества электронов применяют донорные примеси, ионы которых содержат большее число валентных электронов, чем основной материал. lib.kgeu.ru Для создания большего количества дырок используют акцепторные примеси, ионы которых содержат меньшее количество электронов, чем ионы основного материала. lib.kgeu.ru

Некоторые эффекты влияния примесей:

• Образование «лишних» электронов, слабосвязанных с решёткой, если легировать полупроводниковые материалы атомами с пятью валентными электронами, например фосфором или мышьяком. lib.kgeu.ru
• Создание недостатка электронов в решётке, если легировать полупроводниковые материалы атомами с тремя валентными электронами, такими как бор или алюминий. lib.kgeu.ru
• Возникновение тонкого переходного слоя при легировании одной области полупроводника акцепторной примесью, а другой области — донорной. myompl.ru В этом слое носители заряда перемещаются оттуда, где их концентрация больше, туда, где их концентрация меньше. myompl.ru
• Смещение энергетических полос относительно уровня Ферми. en.wikipedia.org Энергетическая полоса, соответствующая примеси с наибольшей концентрацией, оказывается ближе к уровню Ферми. en.wikipedia.org

Таким образом, легирование позволяет модулировать электрические, оптические и структурные свойства полупроводников. en.wikipedia.org