Революционный вклад Жореса Алфёрова в развитие полупроводниковой электроники заключается в нескольких направлениях:

• Создание первых советских плоскостных транзисторов. 1 Благодаря этому электронная промышленность перешла на качественно иной уровень — стало возможным производство электронных средств связи нового формата, например, быстродействующих электронно-вычислительных машин с большим объёмом памяти. 1
• Разработка полупроводниковых выпрямителей. 1 На основе этих разработок базировалась отечественная силовая полупроводниковая электроника. 1 Выпрямители нашли применение в новых моделях отечественных атомных подводных лодок. 1
• Разработка полупроводниковых лазеров. 1 Алфёров открыл явление сверхинжекции в гетероструктурах и предложил принцип использования гетероструктур в полупроводниковой электронике. 12 В 1970 году был создан первый в мировой практике полупроводниковый лазер, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. 4
• Разработка эффективных солнечных батарей. 1 Производительная работа и износостойкость этих батарей была основана на результатах исследований свойств гетероструктур полупроводников. 1 Новые батареи имели улучшенную стойкость к радиоактивному излучению, поэтому могли полноценно использоваться при освоении космоса. 1
• Разработка лазера на квантовых точках. 1 Это был новый тип гетероструктур с квантовыми точками, которые легли в основу создания первого в мире лазера на квантовых точках с высокой температурной стабильностью. 1

Открытия Алфёрова стали основой для создания современных электронных устройств, без которых уже немыслим современный мир: мобильных телефонов, проигрывателей компакт-дисков, оптоволоконной связи и многих других. 4