В чём заключается процесс легирования полупроводников?

Легирование полупроводников — это внедрение небольших количеств примесей или структурных дефектов с целью контролируемого изменения электрических свойств полупроводника, в частности, его типа проводимости. ru.wikipedia.org

Основная цель процесса — изменить тип проводимости и концентрацию носителей в объёме полупроводника для получения заданных свойств (проводимости, получения требуемой плавности p-n-перехода). ru.wikipedia.org

Некоторые способы легирования:

• Ионная имплантация. ru.wikipedia.org Предполагает введение легирующих материалов непосредственно на поверхность пластины. ru.semicorex.com Позволяет контролировать параметры приборов более точно, чем термодиффузия, и получать более резкие p-n-переходы. ru.wikipedia.org
• Нейтронно-трансмутационное легирование. ru.wikipedia.org При этом легирующие примеси не вводятся в полупроводник, а образуются из атомов исходного вещества (кремний, арсенид галлия) в результате ядерных реакций, вызванных облучением исходного вещества нейтронами. ru.wikipedia.org
• Термодиффузия. ru.wikipedia.org Содержит следующие этапы: осаждение легирующего материала, термообработка (отжиг) для загонки примеси в легируемый материал, удаление легирующего материала. ru.wikipedia.org

Для легирования полупроводников часто используются такие элементы, как бор, фосфор и мышьяк. www.ai-futureschool.com