Принцип работы флеш-памяти с фазовым переходом основан на переходе материала в ячейке между кристаллическим и аморфным состояниями. nplus1.ru
Обычно такая память основана на использовании халькогенидного стекла (GST), которое состоит из германия, сурьмы и теллура. habr.com
Принцип работы: habr.com
- В обычном (холодном) состоянии материал представляет собой аморфную стеклообразную структуру с высоким электрическим сопротивлением (состояние 1). habr.com
- При воздействии высокой температуры (до 600 градусов по Цельсию) материал кристаллизуется, при этом важно добиться температуры выше точки кристаллизации, но ниже точки плавления материала, тогда материал будет обладать очень низким сопротивлением (состояние 2). habr.com
- В результате фазового перехода изменяются как электрические характеристики, так и оптические (показатель преломления). habr.com
- Состояние 1 (слабо организованное) используют для получения сигнала низкого уровня, а состояние 2 (жёстко структурированное) — сигнала высокого уровня. habr.com
Такой принцип позволяет хранить информацию в ячейках без постоянно приложенного напряжения, а в некоторых случаях хранить в ячейке не только бинарные (0 или 1), но и более сложные состояния. nplus1.ru