В чем заключается принцип работы эмиттерного перехода в транзисторе?

Принцип работы эмиттерного перехода в транзисторе заключается в том, что в активном усилительном режиме работы транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении (открыт), а коллекторный переход смещён в обратном направлении (закрыт). ru.ruwiki.ru ru.wikipedia.org

Процесс происходит следующим образом: ru.ruwiki.ru

1. Основные носители заряда в эмиттере (электроны) проходят через открытый переход эмиттер-база в область базы. ru.ruwiki.ru ru.wikipedia.org
2. Часть этих электронов рекомбинирует с основными носителями заряда в базе (дырками). ru.ruwiki.ru ru.wikipedia.org
3. Однако из-за того, что базу делают очень тонкой и сравнительно слабо легированной, большая часть электронов, инжектированных из эмиттера, диффундирует в область коллектора, так как время рекомбинации относительно велико. ru.ruwiki.ru ru.wikipedia.org
4. Сильное электрическое поле обратносмещённого коллекторного перехода захватывает неосновные носители из базы (электроны) и переносит их в коллекторный слой. ru.ruwiki.ru ru.wikipedia.org

Таким образом, ток коллектора практически равен току эмиттера, за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе, которая и образует ток базы. ru.ruwiki.ru ru.wikipedia.org