Принцип допирования полупроводников заключается в целенаправленном введении примесей в очищенный полупроводник с целью изменения его электрических свойств. web.archive.org
В зависимости от типа добавляемых примесей возникает разный тип проводимости: dzen.ru
- Тип N проводимости возникает при допировании полупроводникового материала примесями, такими как фосфор или мышьяк. dzen.ru В кристаллической структуре материала образуются свободные электроны, которые обеспечивают его проводимость. dzen.ru
- Тип P проводимости достигается добавлением примесей, таких как бор или галлий, к полупроводниковому материалу. dzen.ru Эти примеси создают дефекты в кристаллической структуре, называемые «дырками». dzen.ru Дырки рассматриваются как недостаток свободных электронов, и они обеспечивают проводимость типа P. dzen.ru
Таким образом, допирование полупроводников позволяет изменять и контролировать их проводимость, что делает их полезными для создания различных электронных устройств. dzen.ru