Принцип действия лавинного пробоя в полупроводниковых структурах заключается в том, что при движении в сильном электрическом поле носители заряда приобретают кинетическую энергию, достаточную для ударной ионизации атомов или молекул материала при соударениях с ними. 12

В большинстве случаев носителями заряда в полупроводниках выступают противоположно заряженные электроны и дырки. 1 Если в материале создано электрическое поле, при движении в нём частицы увеличивают свою энергию и могут генерировать дополнительные электронно-дырочные пары посредством ударной ионизации атомов вещества. 1

Вторичные электроны и дырки также начинают разгоняться электрическим полем и участвовать в ударной ионизации. 1 Нарастание числа задействованных носителей заряда происходит лавинообразно, отсюда название пробоя. 1

При этом происходит резкий рост обратного тока при практически неизменном обратном напряжении. 5