Эффект вымораживания носителей в полупроводниках заключается в изменении концентрации носителей при низких температурах. 1 В этой области концентрация носителей изменяется в основном за счёт переходов электронов с донорного уровня в зону проводимости или за счёт переходов электронов из валентной зоны на акцепторный уровень с образованием свободных дырок. 1

При понижении температуры уровень Ферми у образцов p-типа опускается и приближается к вершине валентной зоны. 3 Избыточные электроны быстро захватываются на незанятые состояния рекомбинационного центра, так что темп рекомбинации ограничивается более медленным процессом — захватом дырок на центр. 3

Область вымораживания заканчивается при достижении некоторой температуры T1, когда происходит полная ионизация примесных уровней. 1