Разница между полупроводниками p- и n-типа заключается в типе добавляемой примеси. 1
Полупроводники p-типа получают, добавляя к чистому полупроводнику трехвалентные примеси, такие как алюминий, галлий, индий. 1 Эти примеси создают электронную вакансию в структуре, известную как дырка. 1 В таких полупроводниках основными носителями заряда являются дырки, электроны — неосновные. 14
Полупроводники n-типа получают, добавляя к чистому полупроводнику пятивалентные примеси, такие как сурьма, мышьяк, висмут. 1 Добавленная примесь обеспечивает дополнительные электроны в структуре. 1 В таких полупроводниках основными носителями заряда являются электроны, дырки — неосновные. 14
Некоторые другие различия:
- Уровни энергии: полупроводник p-типа имеет уровни энергии акцепторов, очень близкие к валентной зоне и удалённые от зоны проводимости. 1 Полупроводник n-типа имеет донорные уровни энергии, очень близкие к зоне проводимости и удалённые от валентной зоны. 1
- Эффект повышения температуры: когда температура полупроводника p-типа повышается, он может легко принять электрон из валентной зоны на акцепторный энергетический уровень. 1 Когда температура полупроводника n-типа повышается, он может легко отдать электрон с энергетического уровня донора в зону проводимости. 1
- Проводимость: в полупроводниках p-типа проводимость обусловлена наличием дырок. 1 Проводимость в полупроводнике n-типа обусловлена присутствием электронов. 1