Разница между напряжением коллектор-эмиттер и база-эмиттер в режиме насыщения заключается в том, что напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ. нас) — это падение напряжения на открытом транзисторе, а напряжение насыщения база-эмиттер (UБЭ. нас) — это падение напряжения между базой и эмиттером на открытом транзисторе. 2

В режиме насыщения оба перехода транзистора смещены в прямом направлении, и носители инжектируются в базу как из эмиттера, так и из коллектора. 4 При этом напряжение коллектор-эмиттер не превышает напряжение насыщения, которое обычно находится в пределах 0,2–0,3 В. 4