Возможно, имелись в виду различия между n- и p-типами полупроводников, а не между n- и p-переходами при электронных переходах в молекулах.

Разница между n- и p-типами полупроводников заключается в типе носителей заряда: 14

• N-тип — основные носители заряда — отрицательно заряженные электроны. 4 Полупроводник n-типа создаётся путём легирования кристалла пятивалентной примесью, например сурьмой. 4
• P-тип — основные носители заряда — положительно заряженные дырки. 4 Полупроводник p-типа формируется путём легирования кристалла кремния трехвалентной примесью, такой как бор. 4

При соприкосновении полупроводников разного типа (n- и p-типов) возникает электронно-дырочный переход (p-n-переход). 3 В этой области электроны в материале n-типа рассеивают переход и объединяются с дырками в материале p-типа. 4 В итоге в p-области вблизи перехода скапливаются электроны, а в n-области — дырки. 3