Разница между лавинным и туннельным пробоем p-n-перехода заключается в механизме протекания процесса и условиях его возникновения. 110

Лавинный пробой обусловлен образованием носителей заряда из-за ударной ионизации атомов полупроводника. 1 Если напряжённость электрического поля достаточно велика, то электроны приобретают энергию, достаточную для того, чтобы выбивать другие электроны из атомов кристаллической решётки. 1 Этот процесс приводит к быстрому (лавинному) нарастанию обратного тока. 1 Лавинный пробой типичен для слаболегированных полупроводников, со значительной толщиной p-n перехода. 4

Туннельный пробой наблюдается тогда, когда напряжённость электрического поля такова, что становится возможным туннельный переход из валентной зоны полупроводника с электропроводностью одного типа в зону полупроводника с электропроводностью другого типа. 1 Как правило, туннельный пробой наблюдается при напряжениях ниже 6 В. 1 Для него характерен резкий рост обратного тока при практически неизменном обратном напряжении. 3 Туннельный пробой в чистом виде проявляется только при высоких концентрациях примесей. 3

Ещё одно отличие заключается в температурном коэффициенте напряжения пробоя: при лавинном пробое — с увеличением температуры напряжение пробоя увеличивается, при туннельном пробое увеличение температуры снижает напряжение. 8