Вопросы к Поиску с Алисой
Разница между лавинным и туннельным пробоем p-n-перехода заключается в механизме протекания процесса и условиях его возникновения. edu.ikit.sfu-kras.ru {10-host}
Лавинный пробой обусловлен образованием носителей заряда из-за ударной ионизации атомов полупроводника. edu.ikit.sfu-kras.ru Если напряжённость электрического поля достаточно велика, то электроны приобретают энергию, достаточную для того, чтобы выбивать другие электроны из атомов кристаллической решётки. edu.ikit.sfu-kras.ru Этот процесс приводит к быстрому (лавинному) нарастанию обратного тока. edu.ikit.sfu-kras.ru Лавинный пробой типичен для слаболегированных полупроводников, со значительной толщиной p-n перехода. books.ifmo.ru
Туннельный пробой наблюдается тогда, когда напряжённость электрического поля такова, что становится возможным туннельный переход из валентной зоны полупроводника с электропроводностью одного типа в зону полупроводника с электропроводностью другого типа. edu.ikit.sfu-kras.ru Как правило, туннельный пробой наблюдается при напряжениях ниже 6 В. edu.ikit.sfu-kras.ru Для него характерен резкий рост обратного тока при практически неизменном обратном напряжении. rutube.ru Туннельный пробой в чистом виде проявляется только при высоких концентрациях примесей. rutube.ru
Ещё одно отличие заключается в температурном коэффициенте напряжения пробоя: при лавинном пробое — с увеличением температуры напряжение пробоя увеличивается, при туннельном пробое увеличение температуры снижает напряжение. {8-host}