В чём разница между электронно-дырочными переходами в кремнии при прямом и обратном смещении?

Разница между электронно-дырочными переходами в кремнии при прямом и обратном смещении заключается в процессах, которые происходят в переходе. openedo.mrsu.ru bigenc.ru

При прямом смещении (приложение положительного потенциала к р-области): bigenc.ru

• Внешнее поле направлено против контактного, потенциальный барьер понижается. bigenc.ru
• С ростом приложенного напряжения экспоненциально возрастает число основных носителей заряда, способных преодолеть потенциальный барьер. bigenc.ru
• После прохождения p–n-перехода эти носители становятся неосновными, и их концентрация по обе стороны p–n-перехода увеличивается. bigenc.ru
• Возрастает скорость рекомбинации и появляется отличный от нуля ток через p–n-переход, экспоненциально возрастающий с увеличением приложенного напряжения. bigenc.ru

При обратном смещении (приложение положительного потенциала к n-области): bigenc.ru

• Потенциальный барьер повышается, диффузия основных носителей через p–n-переход становится пренебрежимо малой. bigenc.ru
• Потоки неосновных носителей не изменяются (для них барьер не существует). bigenc.ru
• Через p–n-переход течёт ток насыщения, который обычно мал и почти не зависит от приложенного напряжения. bigenc.ru
• Ширина p–n-перехода увеличивается, а свободные носители заряда в ней отсутствуют, p–n-переход закрывается. bga.center