Некоторые преимущества эпитаксиального метода выращивания полупроводниковых слоёв:
Возможность создавать материалы с заранее заданными параметрами. solid.phys.spbu.ru Это касается химического состава, толщины слоёв, концентрации свободных носителей и других характеристик. solid.phys.spbu.ru
Низкое содержание дефектов и примесей. solid.phys.spbu.ru Это позволяет снизить рассеяние свободных носителей и увеличить электрическую подвижность в материале. solid.phys.spbu.ru
Высокий квантовый выход люминесценции. solid.phys.spbu.ru Из-за этого эпитаксиальные структуры отличаются высокой эффективностью работы гетеролазеров и светодиодов, созданных на их основе. solid.phys.spbu.ru
Быстрая электрическая и оптическая динамика. solid.phys.spbu.ru Это важно для создания сверхскоростных электронных и вычислительных устройств. solid.phys.spbu.ru
Возможность контролировать состояние поверхности. www.school.ioffe.ru Это позволяет управлять ростовым процессом на атомарном уровне, что особенно важно при формировании полупроводниковых наногетероструктур с квантовыми ямами и квантовыми точками. www.school.ioffe.ru
Примеры полезных ответов Поиска с Алисой на вопросы из разных сфер. Вопросы сгенерированы нейросетью YandexGPT для актуальных тем, которые определяются на базе обобщённых запросов к Поиску с Алисой.