Основное отличие полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом от транзисторов с изолированным затвором заключается в конструкции затвора. 13

Транзисторы с управляющим p-n-переходом представляют собой удлинённый полупроводниковый кристалл, противоположные концы которого с металлическими выводами играют роль стока и истока. 1 Функцию затвора исполняет небольшая область с обратной проводимостью, внедрённая в центральную часть кристалла. 1 Электронно-дырочный p-n-переход в таких полевых транзисторах напрямую изменяет мощность потока носителей заряда, представляя собой физическое препятствие для электронов или дырок (в зависимости от типа проводимости основного кристалла). 1

Транзисторы с изолированным затвором имеют полупроводниковый кристалл в роли подложки, в которую на некотором удалении друг от друга внедрены две области с обратной проводимостью — исток и сток соответственно. 1 Функцию затвора исполняет металлический вывод, который отделяется от кристалла слоем диэлектрика и, таким образом, электрически с ним не контактирует. 1

Схемотехническое преимущество транзисторов с изолированным затвором перед транзисторами с управляющим p-n-переходом заключается в более высоком входном сопротивлении. 1 Это расширяет возможности применения данных элементов, например, в высокоточных устройствах и прочей аппаратуре, критичной к электрическим режимам. 1