Отличие полупроводниковых и гибридно-плёночных интегральных микросхем заключается в технологии изготовления:

1. Полупроводниковая микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены в объёме и на поверхности полупроводника. 18
2. Гибридная микросхема — пассивные элементы (резисторы, конденсаторы и индуктивности) выполнены в виде плёнок (толстых или тонких), а активные (бескорпусные диоды, транзисторы и кристаллы микросхем) элементы — навесные. 110

Таким образом, полупроводниковые микросхемы имеют наиболее высокую плотность упаковки элементов (сотни тысяч на см³) и позволяют получить максимальную надёжность, так как количество соединений в них сведено к минимуму. 2 Гибридные микросхемы обеспечивают широкий диапазон номиналов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики пассивных элементов, а также позволяют использовать любые дискретные компоненты. 5