Некоторые особенности процесса выращивания монокристаллов методом Чохральского:

• Использование затравочного кристалла. 4 В расплав вводят кристалл определённой структуры и кристаллографической ориентации, который служит носителем «ДНК» будущего монокристалла. 34
• Большая открытая площадь расплава. 14 Летучие компоненты и примеси активно испаряются с поверхности расплава. 1 Содержанием летучих легирующих компонентов управляют, изменяя давление и/или состав атмосферы в ростовой установке. 1
• Вращение затравочного кристалла и тигля с расплавом. 14 Обычно это происходит в противоположных направлениях. 14 Так обеспечивают более равномерное распределение температуры и примесей по объёму расплава. 1
• Отсутствие контакта между стенками тигля и кристаллом. 34 Это обеспечивает чистоту растущего кристалла, так как примеси не попадают в него. 3
• Контролируемость процесса. 3 На любом этапе роста можно вносить корректировки или извлекать кристалл из камеры. 3
• Возможность наблюдать за растущим кристаллом и поверхностью расплава. 5 Это позволяет в любой момент прекратить выращивание кристалла или повторить вытягивание снова, если началась побочная кристаллизация. 5