Почему выращивание подложек для GaN является сложной задачей?

Выращивание подложек для GaN является сложной задачей по нескольким причинам:

• Неспособность GaN плавиться при нормальном давлении. ru.semicorex.com Материал разлагается на Ga и азот (N2) при повышенных температурах, что затрудняет работу существующего оборудования. ru.semicorex.com
• Давление декомпрессии. ru.semicorex.com При температуре плавления 2300 °C оно достигает 6 гигапаскалей (ГПа). ru.semicorex.com
• Использование агрессивных веществ. www.dissercat.com Например, в процессе выращивания GaN применяется высококоррозионный газ HCl, который может быстро разрушить оборудование реактора. www.dissercat.com
• Взаимодействие с кварцевыми стенками реактора. www.dissercat.com Особенно сложно получить алюминий- или магнийсодержащие соединения GaN из-за обменных реакций с горячими кварцевыми стенками. www.dissercat.com

Чтобы преодолеть эти сложности, для выращивания GaN используют подложки из других материалов, таких как сапфир, карбид кремния или кремний. ru.semicorex.com dzen.ru Однако выращивание на чужеродной подложке приводит к различным неисправностям, которые ограничивают производительность устройства. pubs.rsc.org