Почему возникает потенциальный барьер в p-n переходе?

Потенциальный барьер в p-n переходе возникает из-за диффузии основных носителей заряда. otvet.mail.ru При возникновении контакта двух полупроводников, в одном из которых высока концентрация дырок (p-тип), а в другом — свободных электронов (n-тип), вследствие теплового движения начинается диффузия основных носителей заряда из «родного» полупроводника в соседний, где концентрация таких частиц во много раз меньше. otvet.mail.ru Дырки переходят из p-полупроводника в n-полупроводник, электроны — из n- в p-полупроводник. otvet.mail.ru

В результате диффузии на границе между этими областями образуется двойной слой разноименных зарядов. otvet.mail.ru При этом в области пространственного заряда возникает электрическое поле, направленное от n-области к p-области, препятствующее переходу основных носителей через границу областей. solidstate.karelia.ru

Также в приграничной области происходит изгиб зон таким образом, что для перехода из одного полупроводника в другой носителям требуется дополнительная энергия. otvet.mail.ru В p-полупроводнике зоны изгибаются вниз, создавая потенциальный барьер для дырок, в n-полупроводнике изгибаются вверх — потенциальный барьер для электронов. otvet.mail.ru