Вопросы к Поиску с Алисой
Обедненная область в p-n-переходе возникает из-за процесса диффузии, когда при соединении полупроводников p- и n-типа часть дырок из p-области перетекает в n-область, а часть электронов — наоборот. otvet.mail.ru
В результате такой диффузии приграничная p-область получает дополнительный отрицательный заряд, n-область — положительный. otvet.mail.ru Другими словами, в приграничной n-области возникает нехватка электронов, в приграничной p-области — их избыток. otvet.mail.ru
Однако этот процесс не длится бесконечно. otvet.mail.ru Поскольку на границе возникли области с противоположными зарядами, между ними возникает электрическое поле, которое создаёт дрейфовый ток, направленный в сторону, противоположную диффузионному. otvet.mail.ru microtechnics.ru
В какой-то момент создаётся динамическое равновесие, и перетекание зарядов прекращается. otvet.mail.ru На границе возникает обедненный слой, в котором практически отсутствуют свободные носители заряда. microtechnics.ru