Обедненная область в p-n-переходе возникает из-за процесса диффузии, когда при соединении полупроводников p- и n-типа часть дырок из p-области перетекает в n-область, а часть электронов — наоборот. 3

В результате такой диффузии приграничная p-область получает дополнительный отрицательный заряд, n-область — положительный. 3 Другими словами, в приграничной n-области возникает нехватка электронов, в приграничной p-области — их избыток. 3

Однако этот процесс не длится бесконечно. 3 Поскольку на границе возникли области с противоположными зарядами, между ними возникает электрическое поле, которое создаёт дрейфовый ток, направленный в сторону, противоположную диффузионному. 35

В какой-то момент создаётся динамическое равновесие, и перетекание зарядов прекращается. 3 На границе возникает обедненный слой, в котором практически отсутствуют свободные носители заряда. 5