Возможно, имелся в виду эффект утечки обратного тока у кремниевых диодов. 1

Причина возникновения такого эффекта — свободные носители, которые генерируются в области пространственного заряда за счёт тепловой энергии или иррадиации и движутся по направлению к терминалам. 1

Также к основным причинам возникновения тока утечки относят образование неосновных носителей при нагревании, воздействии радиации и нарушениях структуры кристаллической решётки. 2

Кроме того, при превышении обратным напряжением порогового значения обратный ток начинает резко возрастать, что обусловлено двумя механизмами — эффектом Зенера и лавинным пробоем. 1