Вольтамперная характеристика транзистора может отличаться от идеальной по нескольким причинам:

• Неидеальность p-n-перехода. 5 При увеличении напряжения в переходе он расширяется, электроны и дырки уходят в глубь областей p и n и далее во внешнюю цепь. 5 Вследствие этого увеличивается положительный объёмный заряд в n-области и отрицательный объёмный заряд в p-области. 5
• Влияние температуры. 3 Характеристики транзистора могут меняться в ходе работы из-за его нагрева. 1
• Влияние режима насыщения. 4 В режиме насыщения в ток базы вносится дополнительный вклад — ток рекомбинации электронов, инжектированных в базу из коллектора. 4

Таким образом, неидеальность p-n-перехода и влияние режима насыщения приводят к отклонению вольтамперной характеристики транзистора от идеальной.