Вольтамперная характеристика транзистора может отличаться от идеальной по нескольким причинам:
- Неидеальность p-n-перехода. emirs.miet.ru При увеличении напряжения в переходе он расширяется, электроны и дырки уходят в глубь областей p и n и далее во внешнюю цепь. emirs.miet.ru Вследствие этого увеличивается положительный объёмный заряд в n-области и отрицательный объёмный заряд в p-области. emirs.miet.ru
- Влияние температуры. www.omgtu.ru Характеристики транзистора могут меняться в ходе работы из-за его нагрева. www.ulsu.ru
- Влияние режима насыщения. phys-el.ru В режиме насыщения в ток базы вносится дополнительный вклад — ток рекомбинации электронов, инжектированных в базу из коллектора. phys-el.ru
Таким образом, неидеальность p-n-перехода и влияние режима насыщения приводят к отклонению вольтамперной характеристики транзистора от идеальной.