Сильная легированность эмиттера в транзисторах важна, потому что он является источником носителей электрического тока (дырок в PNP-транзисторе). 2

Повышение степени легирования эмиттера приводит к уменьшению ширины запрещённой зоны, увеличению собственной концентрации свободных носителей заряда в эмиттере, понижению времени жизни и, как следствие, к снижению величины коэффициента инжекции эмиттера, а следовательно, и коэффициента усиления по току. 15