В зоне дислокаций кристаллическая решётка упруго искажена, потому что из-за наличия дислокации искажён её кристаллографический порядок. 2

Искажение кристаллической структуры вблизи дислокации (так называемое ядро) охватывает область диаметром в несколько периодов кристаллической решётки. 1 Такое искажение обусловливает возникновение дальнодействующих внутренних упругих напряжений в кристалле, убывающих обратно пропорционально расстоянию от дислокации. 1

За пределами ядра кристаллическая решётка является локально деформированной, но топологически совершенной. 1

Дислокация, особенно краевая, создаёт сильно сжатые и сильно растянутые участки кристаллической решётки. 4 В растянутые места энергетически выгоднее переместиться крупным атомам примеси замещения, а в сжатые — мелким атомам примеси замещения. 4