Почему в транзисторах pnp-структуры используется обратное смещение коллекторно-базового перехода?

В транзисторах pnp-структуры обратное смещение коллекторно-базового перехода используется для того, чтобы сильное электрическое поле обратносмещённого коллекторного перехода захватывало неосновные носители из базы (электроны) и переносило их в коллекторный слой. ru.wikipedia.org

Это происходит благодаря тому, что на коллекторном переходе образуются объёмные заряды, между которыми возникает электрическое поле, способствующее продвижению (экстракции) через переход электронов из эмиттера, которые создают коллекторный ток. portal.tpu.ru

Также в рабочем режиме в переходе коллектор-база с обратным смещением выделяется основная доля тепла, рассеиваемого прибором, и повышение его площади способствует лучшему охлаждению кристалла. ru.wikipedia.org

Таким образом, обратное смещение коллекторно-базового перехода необходимо для эффективной работы транзистора, обеспечивая перенос электронов из базы в коллекторный слой и создание коллекторного тока. ru.wikipedia.org portal.tpu.ru