В транзисторах pnp-структуры обратное смещение коллекторно-базового перехода используется для того, чтобы сильное электрическое поле обратносмещённого коллекторного перехода захватывало неосновные носители из базы (электроны) и переносило их в коллекторный слой. 2

Это происходит благодаря тому, что на коллекторном переходе образуются объёмные заряды, между которыми возникает электрическое поле, способствующее продвижению (экстракции) через переход электронов из эмиттера, которые создают коллекторный ток. 4

Также в рабочем режиме в переходе коллектор-база с обратным смещением выделяется основная доля тепла, рассеиваемого прибором, и повышение его площади способствует лучшему охлаждению кристалла. 2

Таким образом, обратное смещение коллекторно-базового перехода необходимо для эффективной работы транзистора, обеспечивая перенос электронов из базы в коллекторный слой и создание коллекторного тока. 24