Почему в области p-n перехода образуется запирающий слой?

Запирающий слой в области p-n-перехода образуется из-за взаимодействия электронов и дырок разноименных зарядов при контакте полупроводников n- и p-типов. otvet.mail.ru www.ruselectronic.com

В полупроводнике n-типа основными носителями свободного заряда являются электроны, а в полупроводнике p-типа — дырки. otvet.mail.ru При контакте начинается процесс диффузии: дырки из p-области переходят в n-область, а электроны, наоборот, из n-области в p-область. otvet.mail.ru

В результате в n-области вблизи зоны контакта уменьшается концентрация электронов и возникает положительно заряженный слой. otvet.mail.ru В p-области уменьшается концентрация дырок и возникает отрицательно заряженный слой. otvet.mail.ru

Между двумя разноименными зарядами появляется электрическое поле, которое направлено против новых «нарушителей границы». otvet.mail.ru В электронном слое это поле задерживает электроны, стремящиеся перейти границу — отталкивает их обратно. otvet.mail.ru А в дырочной области пограничное поле отталкивает обратно новых перебежчиц-дырок. otvet.mail.ru

Движение зарядов через границу прекращается, и возникает запирающий слой, преодолеть который носители тока не смогут без помощи внешнего электрического поля. otvet.mail.ru