Тетрагональное искажение кристаллической решётки в некоторых ионных кристаллах может наблюдаться по разным причинам, например:
- Неравномерное распределение электронов по орбиталям иона металла. 2 Если на орбиталях eg типа, направленных в сторону лигандов, находится 1 или 3 электрона, то аксиальные и экваториальные лиганды испытывают разное отталкивание и имеют разную длину связи металл — лиганд. 2
- Эффект Яна — Теллера. 2 Вырожденное электронное состояние нелинейной молекулы неустойчиво, и для стабилизации такая система должна подвергнуться искажению, снимающему вырождение. 2
- Смещение ионов. 1 Например, в манганитах со структурой перовскита искажения связаны со смещениями ионов кислорода, приводящими к «поворотам» октаэдров. 1
- Напряжение кристаллической решётки. 3 Например, в слоях, где происходит переход электронов из широкозонного материала в не легированный узкозонный, кристаллическая решётка испытывает напряжение, в результате чего происходит её тетрагональное искажение. 3