Уровень Ферми смещается при легировании полупроводников из-за появления дополнительных электронных переходов, которые изменяют концентрацию свободных носителей заряда. 1
Когда в полупроводник вводят примеси, в запрещённой зоне образуются донорные и акцепторные уровни. 1 В зависимости от типа проводимости уровень Ферми смещается в разную сторону: 4
Кроме того, повышение температуры способствует росту генерации собственных носителей заряда в полупроводнике, что также смещает уровень Ферми. 2
Скорость смещения уровня Ферми в основном определяется концентрациями примесей. 1