Ультрафиолетовое излучение важно для фотолитографии в наноэлектронике, потому что позволяет добиться более высокого разрешения по сравнению с классической фотолитографией, в которой используется свет с длиной волны около 400 нм. 14

При ультрафиолетовой литографии (EUV-литографии) используется излучение на длине волны около 13,5 нм, что даёт возможность изготавливать элементы с размерами в несколько десятков нанометров. 1

Однако высокая энергия фотонов ультрафиолетового излучения ионизирует компоненты фоторезиста, генерируя вторичные электроны, которые способствуют нежелательным химическим реакциям в процессе экспонирования. 1 Поэтому без подготовки фоторезисты не могут использоваться в данном методе, поскольку имеют высокую чувствительность и будут разрушаться. 1