Быстродействие составных транзисторов ниже, чем у обычных одинарных транзисторов, из-за большой степени насыщения на входном коллекторно-эмиттерном переходе. 1 В результате при закрытии составного транзистора входной каскад длительно сохраняет первичное состояние в режиме насыщения. 1 До тех пор, пока насыщение не закончится, полупроводниковый элемент останется в открытом состоянии. 1

Также снижение быстродействия связано с тем, что после снятия питания с управляющего перехода транзистора начинает происходить постепенное рассасывание неосновных носителей электрического заряда. 5 Это увеличивает время перехода биполярного транзистора в полностью закрытое состояние. 5

Для устранения этих недостатков в некоторых случаях устанавливают нагрузочный резистор в цепи базы — эмиттера или базы — коллектора, в зависимости от типа составного транзистора. 1