Толщина базы транзистора имеет критическое значение для его работы, потому что при малой ширине базы подавляющее число инжектированных из эмиттера неосновных носителей достигнет коллекторного перехода, и потери за счёт рекомбинации сведутся к минимуму. 1

Это достигается также тем, что полупроводник базовой области легируется неравномерно для создания встроенного электрического поля, ускоряющего диффундирующие неосновные носители при их движении к коллекторному переходу. 1

Кроме того, тонкая база транзистора повышает скорость его работы, так как время прохождения электронов от эмиттера к коллектору уменьшается с уменьшением толщины базы. 4

При этом нельзя делать базу транзистора сколь угодно тонкой, чтобы избежать пробоя, когда зоны истощения переходов эмиттер-база и база-коллектор соприкасаются, что приводит к прекращению работы транзистора. 4