Почему ток насыщения зависит от температуры полупроводникового устройства?

Ток насыщения зависит от температуры полупроводникового устройства из-за изменения собственной концентрации носителей заряда в полупроводниковом материале. www.ulsu.ru

С ростом температуры прибора увеличивается концентрация собственных носителей заряда, что может привести к уменьшению потенциального барьера между граничащими друг с другом p- и n-областями. power-e.ru В результате сопротивление обратно смещённых p-n-переходов может оказаться меньше сопротивления низколегированных областей прибора, которое также увеличивается с ростом температуры. power-e.ru

Кроме того, в области высоких температур на значение тока насыщения существенное влияние оказывает сопротивление низколегированных областей прибора. power-e.ru

Таким образом, при увеличении температуры увеличивается и значение тока, при котором достигается насыщение. studfile.net Одновременно увеличивается и то анодное напряжение, при котором устанавливается ток насыщения. studfile.net