Ток через p-n-переход увеличивается при прямом смещении, потому что в этом случае уменьшается энергетический барьер. 1 Это облегчает диффузию электронов и дырок, и больше электронов может пересекать зону истощения, что и увеличивает ток. 1

Также с ростом приложенного напряжения экспоненциально возрастает число основных носителей заряда, способных преодолеть потенциальный барьер. 2 После прохождения p-n-перехода эти носители становятся неосновными, и их концентрация по обе стороны p-n-перехода увеличивается. 2 В результате возрастает скорость рекомбинации и появляется отличный от нуля ток через p-n-переход, экспоненциально возрастающий с увеличением приложенного напряжения. 2

При прямом смещении положительное напряжение подаётся на область p-типа, а отрицательное — на область n-типа. 5