Точечные дефекты в кристаллах важны для понимания процессов диффузии и электропроводности, потому что они влияют на эти явления. 3

В процессе диффузии точечные дефекты перемещаются, что является механизмом постепенного изменения числа дефектов в веществе. 1 Дефекты при повышенной температуре обладают высоким коэффициентом диффузии. 4

В процессе электропроводности точечные дефекты способствуют облегчённому переносу заряда ионами вблизи вакансий в ионных кристаллах (и в меньшей степени межузельными ионами). 12 Также наличие донорных или акцепторных примесей, которые являются точечными дефектами, увеличивает проводимость диэлектрика. 12

Таким образом, понимание влияния точечных дефектов на процессы диффузии и электропроводности позволяет управлять свойствами кристаллов и создавать материалы с заданными характеристиками для микроэлектроники, лазерной техники и других областей. 3