Тепловой пробой считается необратимым повреждением полупроводникового устройства, потому что он сопровождается разрушением структуры вещества в месте p-n-перехода. 1
Механизм процесса: обратный ток через p-n-переход приводит к выделению тепла. 4 Если теплоотвод недостаточно эффективен, то температура перехода начинает повышаться. 4 При повышении температуры увеличивается концентрация собственных носителей заряда в полупроводнике, что, в свою очередь, приводит к увеличению обратного тока и дальнейшему нагреву. 4 Этот процесс самоподдерживается и лавинообразно нарастает, приводя к перегреву и разрушению прибора. 4