Почему ширина запрещённой зоны арсенида галлия может варьироваться в зависимости от условий выращивания кристаллов?

Ширина запрещённой зоны арсенида галлия (GaAs) может варьироваться в зависимости от условий выращивания кристаллов, в частности, из-за механических напряжений, которые зависят от вида и характера распределения дефектов, а также от размеров кристаллов. cyberleninka.ru

Радиальные напряжения, характерные для монокристаллов нелегированного GaAs, полученных методом Чохральского, составляют 30–100 МПа и зависят от диаметра кристалла и плотности его дислокаций. cyberleninka.ru Эти напряжения являются суммой остаточных напряжений, обусловленных ростовыми дислокациями, и напряжений, вызванных неоднородным (градиентным) распределением точечных дефектов кристаллической структуры. cyberleninka.ru

Кроме того, полупроводниковые и оптические свойства GaAs сильно зависят от соотношения в нём индия и галлия. ru.wikipedia.org ru.ruwiki.ru Например, ширина запрещённой зоны при 300 К изменяется от 0,354 эВ у арсенида индия (InAs) до 1,42 эВ у арсенида галлия (GaAs). ru.wikipedia.org ru.ruwiki.ru