Перераспределение зарядов на границе между p- и n-областями полупроводника происходит из-за возникновения диффузионного тока при соприкосновении полупроводников разного типа. 12

Суть процесса: свободные носители заряда (электроны и дырки) стремятся перейти из той области, где их много, в ту область, где их мало. 2 При прохождении через переход частицы рекомбинируют друг с другом. 2 В результате этого вблизи границы перехода образуются избыточные заряды. 2

Пример процесса: один из электронов переходит из области n-типа и «занимает» свободное место, то есть дырку в области p-типа. 2 На первоначальном месте этого электрона в области n-типа появляется дырка (ведь электрона там больше нет). 2 И в итоге получается, что в p-области вблизи перехода скапливаются электроны, а в n-области, наоборот, дырки. 2

Однако этот процесс не продолжается бесконечно: из-за того, что на границе формируются два новых слоя, возникает дополнительное электрическое поле, которое они порождают. 2 Под действием этого поля возникает дрейфовый ток, направленный противоположно диффузионному току. 2 И при определённой концентрации частиц около границы перехода между этими токами возникает равновесие и процесс останавливается. 2