Пробой p-n-перехода происходит именно в области тонкого слоя полупроводника, потому что в закрытом состоянии перехода почти всё приложенное напряжение действует в тонком пограничном слое. 1

В результате в нём формируется большая напряжённость электрического поля, способная ускорить электрон на малом расстоянии до энергий, достаточных для «выбивания» электрона из ковалентной связи. 1 Далее уже оба электрона будут ускорены, они выбьют ещё электроны и так далее. 1 Получится подобие электронной лавины, приводящей к пробою перехода. 1

Также в полупроводниках с узким p-n-переходом (что обеспечивается высокой концентрацией примесей) возникает туннельный пробой, связанный с туннельным эффектом, когда под воздействием очень сильного поля носители заряда могут переходить из одной области в другую без затраты энергии («туннелировать» через p-n-переход). 2