Увеличение пробивного напряжения диодов с ростом температуры происходит из-за уменьшения длины свободного пробега носителей заряда при лавинном пробое. 25
Это значит, что для того, чтобы электрон на меньшем пути приобрёл энергию, достаточную для ионизации, необходимо увеличение ускоряющего поля, что достигается при большем обратном напряжении. 1
Однако есть и исключение: при туннельном пробое пробивное напряжение, наоборот, уменьшается с увеличением температуры. 25 Это связано с тем, что с повышением температуры ширина запрещённой зоны большинства полупроводников убывает, и уменьшается толщина барьера при той же напряжённости поля. 25