При обратном включении ток реального диода растёт с увеличением напряжения из-за генерации носителей зарядов в p-n переходе и тока утечки по поверхности кристалла. 5

Генерация носителей зарядов происходит так: количество генерируемых носителей пропорционально объёму запирающего слоя, который, в свою очередь, зависит от ширины p-n перехода. 5 Так как ширина перехода растёт с увеличением обратного напряжения, то и ток генерации свободных зарядов также увеличивается. 5

Ток утечки обусловлен поверхностными энергетическими уровнями, которые способствуют активной генерации — рекомбинации, а также молекулярными или ионными плёнками, шунтирующими переход. 3

Кроме того, при достижении достаточно большого обратного напряжения происходит резкое возрастание обратного тока из-за пробоя p-n перехода. 5 Пробой бывает трёх видов: туннельный, лавинный и тепловой. 5