Почему при обратном смещении толщина p-n перехода увеличивается?

Толщина p-n-перехода увеличивается при обратном смещении из-за увеличения потенциального барьера. media.fdo.tusur.ru otvet.mail.ru

Когда p-n-переход смещён в обратном направлении, напряжённость внешнего поля совпадает по направлению с напряжённостью диффузионного электрического поля. media.fdo.tusur.ru Это приводит к тому, что препятствие для основных носителей заряда становится больше, и преодолеть его могут только электроны с большой энергией. otvet.mail.ru

Повышение потенциального барьера препятствует диффузии основных носителей заряда через p-n-переход, и при определённом значении обратного напряжения диффузия прекращается. media.fdo.tusur.ru

Возросшее электрическое поле в p-n-переходе способствует движению через переход неосновных носителей заряда, которые при приближении к переходу электрическое поле захватывает и переносит через переход в область с противоположным типом электропроводности. media.fdo.tusur.ru