Толщина p-n-перехода увеличивается при обратном смещении из-за увеличения потенциального барьера. 15
Когда p-n-переход смещён в обратном направлении, напряжённость внешнего поля совпадает по направлению с напряжённостью диффузионного электрического поля. 1 Это приводит к тому, что препятствие для основных носителей заряда становится больше, и преодолеть его могут только электроны с большой энергией. 5
Повышение потенциального барьера препятствует диффузии основных носителей заряда через p-n-переход, и при определённом значении обратного напряжения диффузия прекращается. 1
Возросшее электрическое поле в p-n-переходе способствует движению через переход неосновных носителей заряда, которые при приближении к переходу электрическое поле захватывает и переносит через переход в область с противоположным типом электропроводности. 1