Полевые транзисторы эффективны в интегральных схемах и flash-памяти благодаря ряду преимуществ:

• Высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, что обеспечивает малые потери на управление. 12
• Высокое быстродействие благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей. 1
• Усилительные свойства — верхняя граница эффективного усиления выше, чем у биполярных транзисторов. 1
• Высокая температурная стабильность. 1
• Малый уровень шумов — в полевых транзисторах не используется явление инжекции неосновных носителей заряда, которое делает биполярные транзисторы «шумными». 1
• Малое потребление мощности. 1

Кроме того, при изготовлении интегральных схем с полевыми транзисторами допускается высокая плотность расположения элементов. 3