Полевые транзисторы эффективны в интегральных схемах и flash-памяти благодаря ряду преимуществ:
- Высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, что обеспечивает малые потери на управление. dzen.ru habr.com
- Высокое быстродействие благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей. dzen.ru
- Усилительные свойства — верхняя граница эффективного усиления выше, чем у биполярных транзисторов. dzen.ru
- Высокая температурная стабильность. dzen.ru
- Малый уровень шумов — в полевых транзисторах не используется явление инжекции неосновных носителей заряда, которое делает биполярные транзисторы «шумными». dzen.ru
- Малое потребление мощности. dzen.ru
Кроме того, при изготовлении интегральных схем с полевыми транзисторами допускается высокая плотность расположения элементов. portal.tpu.ru