Полевой транзистор с индуцированным каналом может работать только в режиме обогащения из-за особенностей его конструкции. 2
В таком транзисторе токопроводящий канал не создаётся, а образуется (индуцируется) за счёт притока электронов из p- и n-областей истока и стока в приповерхностный слой. 4 Этот процесс возможен только при положительном напряжении на затворе. 4
Когда напряжение достигает определённого значения, в приповерхностной зоне происходит инверсия типа проводимости: концентрация электронов превышает концентрацию дырок, и между стоком и истоком возникает тонкий канал n-типа. 2 Транзистор начинает проводить ток, и чем выше напряжение на затворе, тем сильнее. 2