Обратный ток германиевых диодов более чувствителен к температурным изменениям по сравнению с кремниевыми, из-за различной ширины запрещённой зоны германия и кремния. 1

У германия она меньше, чем у кремния, поэтому при одинаковой температуре в германиевых диодах выше концентрация неосновных носителей. 1 С увеличением температуры за счёт более интенсивного процесса термогенерации пар носителей происходит увеличение концентрации как неосновных, так и основных носителей. 1

При обратном смещении р-n-перехода увеличение концентрации неосновных носителей, вызванное ростом температуры, приводит к резкому увеличению обратного тока. 1 В то время как в кремниевых диодах обратный ток меньше, так как ширина запрещённой зоны у кремния больше, чем у германия. 3