Неосновные носители заряда в диоде способны преодолевать потенциальный барьер, потому что возникшее электрическое поле помогает им в этом. 1

В p-n переходе возникает электрическое поле, направление которого препятствует дальнейшей диффузии электронов и дырок. 1 Возникает потенциальный барьер, преодолеть который основные носители заряда смогут только обладая достаточной для этого энергией. 1 А вот неосновным носителям возникшее электрическое поле наоборот помогает. 1

Кроме того, потоки неосновных носителей заряда определяются скоростью тепловой генерации электронно-дырочных пар, которые диффундируют к барьеру и разделяются его полем. 3

Также в основе способности неосновных носителей преодолевать потенциальный барьер лежит туннельный эффект: частица может пройти через потенциальный барьер, обладая меньшей энергией. 1